应用场景

超薄膜层数标定

在纳米材料与二维材料研究领域，精确标定原子级薄膜层数是实现性能调控的关键技术瓶颈。USM-E 通过其独特的表面敏感电子干涉技术，直接解析薄膜厚度与层数。在薄膜沉积（如CVD、MBE）或刻蚀过程中，精准判定外延生长单层闭合性与捕捉缺陷诱导的局部层数变异。USM-E 以亚埃级纵向分辨率与纳米级横向统计效率，为超薄膜研发提供从实验室探索到工业级量产的标准化层数标定平台，加速新型低维材料从基础研究向器件集成的转化进程。